13
3月
2024

国家知识产权局宣告“独立封装的桥式磁场传感器”发明专利权无效

  近日,由北京三聚阳光知识产权代理有限公司和北京易聚律师事务所联合代理请求人与江苏多维科技有限公司的一件专利无效宣告结案。国家知识产权局作出第 565173 号无效审查决定,宣告多维公司拥有的第 201110141214.7 号“独立封装的桥式磁场传感器”发明专利权全部无效。

  涉案专利曾在专利权人修改权利要求的基础上维持有效,我方针对新修改的权利要求,用新的证据与无效思路将其宣告无效。

  专利法第 22 条第 3 款规定:创造性,是指与现有技术相比,该发明具有突出的实质性特点和显著的进步,该实用新型具有实质性特点和进步。
  如果权利要求要求保护的一项技术方案与一份对比文件相比存在多个区别技术特征,但其中一部分区别技术特征被对比文件所公开或给出技术启示,而其他区别技术特征是本领域技术人员的常用技术手段,则该技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的,不具备创造性。
  涉案专利修改后的权利要求 1 内容如下:

  “1.一种独立封装的桥式磁场传感器,其特征是:该传感器包括一个或一对 MTJ 磁电阻传感器芯片,该传感器芯片被固定在标准半导体封装的引线框上,每个所述传感器芯片包括一阻值固定的参考电阻和一响应于外磁场改变阻值的感应电阻;每个参考电阻和感应电阻包括多个 MTJ 传感器元件,这些 MTJ 传感器元件作为单独的磁电阻元件以阵列的形式相互连接,每个参考电阻和感应电阻还包括条形永磁铁,在各列磁电阻元件中间为磁电阻元件提供偏置场;感应电阻的电阻值与外磁场在磁电阻传输特性曲线的一段范围内呈线性的关系;所述传感器芯片的引线焊盘设置为使磁电阻元件的每个引脚可以连接多条接合线;所述传感器芯片相互之间以及与引线框之间都通过引线接合连接,以构成一桥式磁场传感器;引线框和所述传感器芯片密封在塑料之中,以形成一标准的半导体封装,在零场时,参考电阻和感应电阻需要很好的匹配,故所有的 MTJ 传感器元件以完全相同的工艺制备。

  权利要求 1 要求保护一种独立封装的桥式磁场传感器,与证据 1 公开的磁传感器相比,包括 4 点区别技术特征:
(1)每个所述传感器芯片包括一阻值固定的参考电阻和一响应于外磁场改变阻值的感应电阻;每个参考电阻和感应电阻包括多个 MTJ传感器元件,这些 MTJ 传感器元件作为单独的磁电阻元件以阵列的形式相互连接,感应电阻的电阻值与外磁场在磁电阻传输特性曲线的一段范围内呈线性的关系;在零场时,参考电阻和感应电阻需要很好的匹配,故所有的 MTJ 传感器元件以完全相同的工艺制备;
(2)每个参考电阻和感应电阻还包括条形永磁铁,在各列磁电阻元件中间为磁电阻元件提供偏置场;
(3)该传感器包括一个 MTJ 磁电阻传感器芯片;
(4)所述传感器芯片的引线焊盘设置为使磁电阻元件的每个引脚可以连接多条接合线,引线框和所述传感器芯片密封在塑料之中。
  其中,区别技术特征(1)被同为磁电阻传感技术领域的证据 2 公开,区别技术特征(2)被同为磁传感器的证据 7 公开,区别技术特征(3)-(4),对于本领域技术人员而言,是进行相应工作时的公知常识。
  因此,在证据 1 公开内容的基础上,本领域技术人员结合证据 2、证据 7 及本领域的公知常识容易想到本专利权利要求 1 的技术方案,本专利权利要求 1 相对于证据 1、证据 2、证据 7 和公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步,不具备创造性,不符合专利法第 22 条第 3 款的规定。

分类: 案件新闻

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